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2SA2016	文件：110.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FEATURES * High current capacitance. * Low collector-to-emitter saturation voltage. * High-speed switching * High allowable power dissipation. APPLICATIONS * Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. 文件：110.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA2016-AB3-R	文件：110.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FEATURES * High current capacitance. * Low collector-to-emitter saturation voltage. * High-speed switching * High allowable power dissipation. APPLICATIONS * Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. 文件：110.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA2016L-AB3-R	文件：110.83 Kbytes Page：6 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR FEATURES * High current capacitance. * Low collector-to-emitter saturation voltage. * High-speed switching * High allowable power dissipation. APPLICATIONS * Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. 文件：110.83 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2SA2016-TD-E	文件：359.86 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：359.86 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2018	文件：169.72 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BW；Package：SOT-523；LOW FREQUENCY TRANSISTOR FEATURES ● A collceter current is large. ● Collecter saturation voltage is low. VCE(sat)≤250mV At IC=-200mA/IB=-10mA APPLICATIONS ● For switching,for muting. 文件：169.72 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA2018	文件：1.00515 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● A collector current is large. ● Low VCE(sat). VCE(sat)≤-250mV at IC = -200mA / IB = -10mA 文件：1.00515 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SA2018	文件：35.33 Kbytes Page：1 Pages	Low Frequency Transistor Features ● A collector current is large ● Collector saturation voltage is low. VCE(sat) ≤ 250mA at IC=200mA/IB=10mA 文件：35.33 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SA2018	文件：181.04 Kbytes Page：3 Pages	PNP Genera Purpose Transistors FEATURES: * A collector current is large. * Low VCE(sat). VCE(sat)≤-250mV @ IC = -200mA / IB = -10mA 文件：181.04 Kbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON
2SA2018	文件：80.68 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BW；Package：SOT-416；Low frequency transistor Features 1) High current. 2) Collector-Emitter saturation voltage is low. VCE(sat)≦250mA at IC=-200mA/IB=-10mA Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER 文件：80.68 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA2018E3HZG	文件：1.62125 Mbytes Page：9 Pages	丝印：BW；Package：SOT-416；Low frequency transistor Features 1)A collector current is large. 2)Collector-Emitter saturation voltage is low. 　 VCE(sat)≦250mA 　 at IC=-200mA/IB=-10mA Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER 文件：1.62125 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

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晶体管资料

型号：
2SA20
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
调幅（AM）_中频放大（ZF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
12V
最大电流允许值：
0.002A
最大工作频率：
55MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA104,3AG53A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
12
htest：
55000000
atest：
0.002
wtest：
0

技术参数

Ptot：
625
IC：
0.5
VCBO：
-60
VCEO：
50
VEBO：
-5
hFE_VCE(V)：
-6
hFE_IC(mA)：
-400
Package Outline：
TO-92
Arrays：
ECB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	2SA2090TLQ	ROHM	10+	SOT23	2055		询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	2SA2167-T111-1E	MITSUBISHI/三菱	21+	SOT-89	120000	长期代理优势供应	询价
深圳市正纳电子有限公司	2SA2066	TOSHIBA(东芝)	26+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SA2043		12+	TO-252(DPAK)	15000	全新原装,绝对正品,公司现货供应。	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SA2174G	PANASONIC/松下	20+	SSMini3-F3-B	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市湘达电子科技有限公司	2SA2125-TD-E	ON/安森美	2022+	ON	8000	只做原装支持实单,有单必成。	询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	2SA2058(TE85L,F)	TOSHIBA/东芝	2022+	2-3S1C	7600	原厂原装,假一罚十	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	2SA2166-T150-1W	ISAHAYA	2026+	SOT23	36292	全新原装现货,可出样品,可开增值税发票	询价
深圳市凌旭科技有限公司	2SA2071T100Q	ROHM/罗姆	21+	SOT89	1709		询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	2SA2215	TOSHIBA/东芝	21+	SOT-323	10000	只做原装,质量保证	询价

更多2SA2供应商更新时间2026-10-31 9:31:00

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