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2SA2012	文件：81.72 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector to emitter saturation voltage • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash 文件：81.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2012	文件：49.56 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of MBIT processes. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. • High allowable power dissipation. Applications • Relay drivers, 文件：49.56 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2012-TD-E	文件：81.72 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor ??0V, ??A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of MBIT processes • Large current capacity • Low collector to emitter saturation voltage • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash 文件：81.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2013	文件：364.43 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp dr 文件：364.43 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2013	文件：50.17 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • 文件：50.17 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2013-TD-E	文件：364.43 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, lamp dr 文件：364.43 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA2014	文件：49.6 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC/DC Converter Applications Features · Adoption of MBIT processes. · Large current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. · High allowable power dissip 文件：49.6 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2015	文件：49.94 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC/DC Converter Applications Features · Adoption of MBIT processes. · Large current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. · High allowable power dissip 文件：49.94 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2016	文件：50.27 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • 文件：50.27 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA2016	文件：359.86 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：359.86 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2SA20
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
调幅（AM）_中频放大（ZF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
12V
最大电流允许值：
0.002A
最大工作频率：
55MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
AF124,AF125,AF126,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,2SA104,3AG53A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
C-78
vtest：
12
htest：
55000000
atest：
0.002
wtest：
0

技术参数

Ptot：
625
IC：
0.5
VCBO：
-60
VCEO：
50
VEBO：
-5
hFE_VCE(V)：
-6
hFE_IC(mA)：
-400
Package Outline：
TO-92
Arrays：
ECB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	2SA2006E	ROHM	25+	TO-22O	10000	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	2SA2065(TE85L,F)	TOSHIBA/东芝	1323+	SOT-23	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	2SA2202-TD-E	ON/安森美	23+	SMD	7000		询价
深圳市益百分电子有限公司	2SA2090TLQ	ROHM	10+	SOT23	2055		询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	2SA2059	TOSHIBA	26+	SOT-23	86720	全新原装正品价格最实惠假一赔百	询价
深圳市旭升微芯科技有限公司	2SA2124-TD-E	onsemi	25+		836	加QQ:78517935原装正品有单必成	询价
深圳市信科微科技有限公司	2SA2071T100Q	Rohm/罗姆	22+	SOT-89	196000	原厂渠道可含税出货，支持一站式配单	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SA2174G	PANASONIC/松下	20+	SSMini3-F3-B	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	2SA2040T-TL	TI/德州仪器	2022+	SMD	10072	原装正品	询价
深圳市凌旭科技有限公司	2SA2071T100Q	ROHM/罗姆	21+	SOT89	1709		询价

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