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2SA2018E3HZG分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SA2018E3HZG
厂商型号

2SA2018E3HZG

参数属性

2SA2018E3HZG 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PNP, SOT-416, -12V -500MA, LOW F

功能描述

Low frequency transistor

丝印标识

BW

封装外壳

SOT-416 / SC-75,SOT-416

文件大小

1.62125 Mbytes

页面数量

9

生产厂商 Rohm
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
ROHM
数据手册

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更新时间

2025-8-1 15:28:00

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2SA2018E3HZG规格书详情

特性 Features

1)A collector current is large.

2)Collector-Emitter saturation voltage is low.

  VCE(sat)≦250mA

  at IC=-200mA/IB=-10mA

Application

LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER

产品属性

  • 产品编号:

    2SA2018E3HZGTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 10mA,200mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    270 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    260MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    EMT3

  • 描述:

    PNP, SOT-416, -12V -500MA, LOW F

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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