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2SA1962_07	文件：129.669 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：129.669 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1962_15	文件：237.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：237.28 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1961Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type Silicon PNP epitaxial planer type\nFor general amplification\nComplementary to 2SC5419\n\n■ ● High collector to emitter voltage VCEO.;	Panasonic 松下	Panasonic
2SA1961	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type	Panasonic 松下	Panasonic
2SA1962	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP外延硅晶体管	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1962-O(Q)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 230V 15A TO3P	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1962OTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 250V 17A TO3P	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1962RTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 250V 17A TO3P	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SA1962RTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS PNP 250V 17A TO3P

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