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2SA1964	文件：38.36 Kbytes Page：1 Pages	For audio amplifier output stages/TV velocity modulation (-160V, -1.5A) Features 1) Flat DC current gain characteristics. 2) High breakdown voltage. 3) High ft. (Typ. 150MHz) 4) Wide SOA(safe operating area) 5) Complements the 2SC5248. 文件：38.36 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SA1965	文件：78.33 Kbytes Page：3 Pages	Muting Circuit Applications?????? PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Muting Circuit Applications Features • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. • Small output capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Low ON resistance. 文件：78.33 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1965	文件：149.53 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (POWER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. • Complementary to 2SC2235. 文件：149.53 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1965-S	文件：55.38 Kbytes Page：4 Pages	Muting Circuit Applications PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Muting Circuit Applications Features • Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. • Small output capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • Low ON resistance. 文件：55.38 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1967	文件：83.62 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications High-Voltage Amplifier, High-Voltage Switching Applications Features • High breakdown voltage (VCEO min=–900V). • Small Cob (Cob typ=2.2pF). • High reliability (Adoption of HVP process). 文件：83.62 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1968	文件：81.85 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications Features • High breakdown voltage (VCEO min=–900V). • Small Cob (Cob typ=2.2pF). • High reliability (Adoption of HVP process). • Package of full isolation type. 文件：81.85 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1968LS	文件：30.23 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Amplifier, High-Voltage Switching Applications High-Voltage Amplifier, High-Voltage Switching Applications Features • High breakdown voltage(VCEO min=--900V). • Small Cob(Cob typ=2.2pF). • High reliability(Adoption of HVP process). • Package of full isolation type. 文件：30.23 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1969	文件：111.99 Kbytes Page：4 Pages	High-Frequency Medium-Output Amplifier, Medium-Current Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • High fT (fT=1.7GHz typ). • Large current capacity (IC=–400mA). 文件：111.99 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SA1962	文件：129.669 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：129.669 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1962	文件：237.28 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：237.28 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

产品属性

产品编号：
2SA1962RTU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P
描述：
TRANS PNP 250V 17A TO3P

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