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2SA1962-O(Q)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 230V 15A TO3P	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1962OTU	文件：206.12 Kbytes Page：6 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: IC = -17A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO= -250V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SC5242/FJA4313. • Thermal and electrical Spice models are a 文件：206.12 Kbytes 页数：6 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
2SA1962OTU	文件：484.8 Kbytes Page：8 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: I C = -17A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO= -250V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SC5242/FJA4313. • Thermal and electrical Spice models are 文件：484.8 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1962RTU	文件：484.8 Kbytes Page：8 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Features • High Current Capability: I C = -17A • High Power Dissipation : 130watts • High Frequency : 30MHz. • High Voltage : VCEO= -250V • Wide S.O.A for reliable operation. • Excellent Gain Linearity for low THD. • Complement to 2SC5242/FJA4313. • Thermal and electrical Spice models are 文件：484.8 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SA1962-O(Q)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P（N）
描述：
TRANS PNP 230V 15A TO3P

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更多2SA1962-O(Q)供应商更新时间2025-10-31 10:50:00

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