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2SA1962-O(Q)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 230V 15A TO3P	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1962	文件：129.669 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1962	文件：237.28 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3P(I)package •Complementtotype2SC5242 •Highcollectorvoltage:VCEO=-230V(Min) APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor80Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SA1962	文件：175.08 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-3P(I)package •Complementtotype2SC5242 •Highcollectorvoltage:VCEO=-230V(Min) APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor80Whighfidelityaudio frequencyamplifieroutputstage	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SA1962	文件：110.31 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-230V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SC5242 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequency amplifieroutputstageapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SA1962	文件：206.12 Kbytes Page：6 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •HighCurrentCapability:IC=-17A •HighPowerDissipation:130watts •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=-250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SC5242/FJA4313. •ThermalandelectricalSpicemodelsarea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SA1962	文件：150.14 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=−230V(min) •Complementaryto2SC5242 •Recommendedfor80-Whigh-fidelityaudiofrequencyamplifier outputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1962	文件：76.48 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-230V(Min) •GoodLinearityofhFE •ComplementtoType2SC5242 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications •Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequency amplifieroutputstageapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SA1962	文件：237.28 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
2SA1962	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SA1962-O(Q)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：
TO-3P（N）
描述：
TRANS PNP 230V 15A TO3P

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