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2SA1305	文件：110.36 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION · With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·High transition frequency APPLICATIONS ·High current switching applications 文件：110.36 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1306	文件：116.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Complement to type 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B APPLICATIONS • Power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：116.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1306	文件：165.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION 1. With TO-220Fa package 2. Complement to type : 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B 文件：165.04 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1306	文件：182.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Good Linearity of HFE • High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306 = -180V(Min)-2SA1306A = -200V(Min)-2SA1306B • Complement to Type 2SC3298/A/B APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Driver stage amplifier applications 文件：182.14 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1306A	文件：116.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • Complement to type 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B APPLICATIONS • Power amplifier applications • Driver stage amplifier applications 文件：116.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1306A	文件：182.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Good Linearity of HFE • High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306 = -180V(Min)-2SA1306A = -200V(Min)-2SA1306B • Complement to Type 2SC3298/A/B APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Driver stage amplifier applications 文件：182.14 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1306A	文件：165.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION 1. With TO-220Fa package 2. Complement to type : 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B 文件：165.04 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1306B	文件：165.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION 1. With TO-220Fa package 2. Complement to type : 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B 文件：165.04 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1306B	文件：182.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Good Linearity of HFE • High Collector-Emitter Breakdown VoltageV(BR)CEO= -160V(Min)-2SA1306 = -180V(Min)-2SA1306A = -200V(Min)-2SA1306B • Complement to Type 2SC3298/A/B APPLICATIONS • Power amplifier applications. • Driver stage amplifier applications 文件：182.14 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1306B	文件：397.62 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SILICON POWER TRANSISTORS 1.5 AMPERES 200 VOLTS 20 WATTS 文件：397.62 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola

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晶体管资料

型号：
2SA1300
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
通用型（Uni）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB873,2SB926,2SB927,2SB1068,2SB1229,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
20
htest：
140000000
atest：
2
wtest：
0.75

技术参数

PCM(W)：
0.75
IC(A)：
2
VCBO(V)：
20
VCEO(V)：
10
VEBO(V)：
6
hFEMin：
140
hFEMax：
600
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.82
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SA1300	PNPECB	24+	TO-92	50000		询价
深圳市弘为电子有限公司	2SA1300	TOS	24+	原厂封装	5500	原装现货假一罚十	询价
深圳市达恩科技有限公司	2SA1300	TOSHIBA	24+	TO	2589	进口原装正品优势供应	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	2SA1300	TOSHIBA	24+	TO	18700		询价
深圳市华斯顿科技有限公司	2SA1300	长电	25+23+	TO-92	23922	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市福田区亿兴成电子商行	2SA1300	TOSHIBA	TO	6688	38	现货库存	询价
深圳市亿智腾科技有限公司	2SA1300	TOSHIBA	24+	TO-92	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
深圳市昂芯微科技有限公司	2SA1300	TOSHIBA	23+	TO	5628	原厂原装	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SA1300	HGF/恒光发	23+	TO-92	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	2SA1300	CJ/长电	22+	TO-92	15240	原装正品	询价

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