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2SA1069A-Z	文件：272.69 Kbytes Page：8 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING 文件：272.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1069A-Z	文件：272.97 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：272.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1069-Z	文件：272.69 Kbytes Page：8 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING 文件：272.69 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1061	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
2SA1062	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
2SA1063	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
2SA1069(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244B,BD540B,BD600,BD952,2SA1289,2SA1290,3CA8D,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

详细参数

型号：
2SA106
制造商：
NEC
功能描述：
2SA1069 NEC N9H1D

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SA106供应商更新时间2026-3-10 16:30:00

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