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2SA1147	文件：150.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipations ·Complement to type 2SC2707 APPLICATIONS ·For power switching amplifier and general purpose applications 文件：150.99 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1147	文件：109.27 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High power dissipations ·Complement to type 2SC2707 APPLICATIONS ·For power switching amplifier and general purpose applications 文件：109.27 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1147	文件：124.59 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：124.59 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1147	文件：150.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：150.99 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1147	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 150V 0.05A 3-Pin TO-92 Mod	NJS	NJS
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晶体管资料

型号：
2SA1147
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
MJ15016,2SA909,2SA1109,2SA1116,2SA1117,2SB645,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
180
htest：
60000000
atest：
15
wtest：
150

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
800mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.05A
Maximum Collector Emitter Voltage：
150V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@1mA@10mAV
Maximum Collector Base Voltage：
150V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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