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2SA1129	文件：103.38 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING The 2SA1129 is a mold power transistor developed for mid-speed switching, and is ideal for use as a ramp driver. FEATURES • Large current capacity with small package: IC(DC)= −7.0 A • Low collector saturation voltage: VCE(sat) = −0.3 V MAX. @IC= −3.0 A, IB = −0.1 A • Complementary transi 文件：103.38 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SA1129	文件：255.29 Kbytes Page：8 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING 文件：255.29 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SA1129	文件：95.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Large current capacity ·Complement to type 2SC2654 APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching applications 文件：95.26 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1129	文件：186.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Large current capacity ·Complement to type 2SC2654 APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching applications 文件：186.45 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1129	文件：130.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage :VCE(sat)= -0.3(V)(Max)@lc= -3A • Large Current Capability-lc= -7A • Complement to Type 2SC2654 APPLICATIONS • Designed for mid-switchingapplications, and is ideal for use as a ramp driver. 文件：130.3 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1129	文件：102.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Complement to type 2SC2654 ·Low collector saturation votage APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching applications 文件：102.59 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1129	文件：643.64 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220 Plastic Package. Features Large current capacity with small package, low collector saturation voltage, pair with 2SC2654. Applications For low-frequency power amplifiers and mid-speed switching. 文件：643.64 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1129	文件：186.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：186.45 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1129	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas
2SA1129_15	文件：186.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：186.45 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SA1129
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244,BD544,BD796,BD806,2SB919,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
30
htest：
999900
atest：
7
wtest：
40

技术参数

NPN/PNP：
PNP
Vcbo (V)：
-30
VCEO (V)：
-30
Vebo (V)：
-7
Automotive：
YES
IC (A) @25 °C：
-7
VCE(sat) (V) max.：
-0.6
hFE min.：
40
hFE max.：
200
Pc (W)：
40
Package Type：
MP-25
Production Status：
EOL

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