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2SA1060	文件：98.65 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXAL BASE VLESA TRANSISTOR 2SA1060 PNP 2SC2484 NPN 文件：98.65 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SA1060	文件：122.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC2484 • High collector power dissipation APPLICATIONS • High power audio frequency amplifier 文件：122.96 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1060	文件：265.86 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC2484 • High collector power dissipation APPLICATIONS • High power audio frequency amplifier 文件：265.86 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1060	文件：186.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) • High Power Dissipation • Complement to Type 2SC2484 APPLICATIONS • Designed for high power audio frequency amplifier applications 文件：186.8 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1060	文件：139.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC2484 • High collector power dissipation APPLICATIONS • High power audio frequency amplifier 文件：139.08 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1061	文件：139.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type 2SC2485 • High collector power dissipation APPLICATIONS • High power audio frequency amplifier 文件：139.19 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SA1061	文件：186.65 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) • High Power Dissipation • Complement to Type 2SC2485 APPLICATIONS • Designed for high power audio frequency amplifier applications 文件：186.65 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SA1061	文件：118.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type 2SC2485 ·High collector power dissipation APPLICATIONS ·High power audio frequency amplifier 文件：118.84 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SA1061	文件：81.62 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -100V(Min) • High Power Dissipation • Complement to Type 2SC2485 APPLICATIONS • Designed for high power audio frequency amplifier applications 文件：81.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SA1061	文件：102.38 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXAL BASE LESA TRANSISTOR SILICON EPITAXAL BASE VLESA TRANSISTOR High Power Audio Frequency Amplifier Complementary Pair with 2SC2485 Features: • High collector power dissipation: 70W(Tc=25 °C) 文件：102.38 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

晶体管资料

型号：
2SA1069(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244B,BD540B,BD600,BD952,2SA1289,2SA1290,3CA8D,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
5
wtest：
30

详细参数

型号：
2SA106
制造商：
NEC
功能描述：
2SA1069 NEC N9H1D

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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