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2SA1015	文件：128.06 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialPlanarTransistor PNPEpitaxialPlanarTransistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
2SA1015	文件：2.58913 Mbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) ●Powerdissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA1015	文件：172.91 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplicationsDriverStageAmplifierApplications AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=−50V(min), IC=−150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=80(typ.)atVCE=−6V,IC=−150mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：176.91 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplicationsDriverStageAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1015	文件：50.74 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2SA1015isdesignedforuseindriverstageofAFamplifierandgeneralpurposeamplification.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2SA1015	文件：143.93 Kbytes Page：4 Pages	LOWFREQUENCYPNPAMPLIFIERTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SA1015	文件：215.16 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DesignedforuseindriverstageofAFamplifiergeneralpurposeamplification.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SA1015	文件：37.74 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistor Features ●Highvoltageandhighcurrent VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) ●Lowniose:NF=1dB(Typ.)atf=1KHz	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1015	文件：73.45 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR 2SA1015isPNPsiliconplanartransistordesignedforaudiofrequencygeneralpurposeamplifierapplicationsanddriverstageamplifierapplications.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
2SA1015	文件：110.69 Kbytes Page：3 Pages	AudioFrequencyAmplifierApplicationsLowNoiseAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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深圳市弘为电子有限公司	2SA1015Y	TOS	24+	原厂封装	5500	原装现货假一罚十	询价
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