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2SA1020RLRAG	文件：52.77 Kbytes Page：4 Pages	One Watt High Current PNP Transistor VOLTAGE AND CURRENT ARE NEGATIVE FOR PNP TRANSISTORS One Watt High Current PNP Transistor Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：52.77 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1020RLRAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 2A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1020-TA	文件：1.23991 Mbytes Page：4 Pages	TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power Amplifier Applications 文件：1.23991 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1020-TA	文件：1.71325 Mbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Features Power mplifier pplications 文件：1.71325 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SA1020-Y	文件：193.18 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low Collector saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • High collector power dissipation: PC = 900 mW • High-speed switching: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SC2655 文件：193.18 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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