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2N7370 | Darlington NPN Silicon Power 100V, 12A This specification covers the performance requirements for NPN silicon, high power Darlington, 2N7370 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/624. The device package style is a three terminal flange m | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
2N7370 | NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/624 文件:62.56 Kbytes 页数:2 Pages | MICROSEMI 美高森美 | MICROSEMI | |
2N7370 | Package:TO-254-3,TO-254AA;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT | MICROCHIP 微芯科技 | MICROCHIP | |
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晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl
- 性质:
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
12A
- 最大工作频率:
10MHZ
- 引脚数:
2
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
β=1000-1800
- 图片代号:
E-44
- vtest:
100
- htest:
10000000
- atest:
12
- wtest:
0
产品属性
- 产品编号:
2N7370
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/624
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 120mA,12A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 6A,3V
- 工作温度:
-65°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-254-3,TO-254AA
- 供应商器件封装:
TO-254AA
- 描述:
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSCL |
24+ |
SMD |
50 |
“芯达集团”专营军工百分之百原装进口 |
询价 | ||
MSCL |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品军工级部分订货 |
询价 | ||
IR |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
IR |
22+ |
N/A |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
N/A |
7000 |
询价 | |||
24+ |
TO-220 |
200 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | |||
VITESSE |
TBGA |
6850 |
莱克讯每片来自原厂原盒原包装假一罚十价优 |
询价 | |||
25+ |
长期备有现货 |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | |||
2318+ |
TO-220 |
4862 |
只做进口原装!假一赔百!自己库存价优! |
询价 |

