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JANTXV2N7370

Darlington NPN Silicon Power 100V, 12A

This specification covers the performance requirements for NPN silicon, high power Darlington, 2N7370 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/624. The device package style is a three terminal flange mount header configuration modified TO-254AA (T1).;

Microchip

微芯科技

JANTXV2N7370

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/624

文件:62.56 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTXV2N7370

Package:TO-254-3,TO-254AA(直引线);包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 12A TO254AA

MICROCHIP

微芯科技

2N7370

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/624

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MICROSEMI

美高森美

JAN2N7370

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/624

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MICROSEMI

美高森美

JANTX2N7370

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/624

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MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    JANTXV2N7370

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/624

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 120mA,12A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 6A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-254-3,TO-254AA(直引线)

  • 供应商器件封装:

    TO-254AA

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 12A TO254AA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MSC
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Microchip Technology
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TO-254-3 TO-254AA(直引线)
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更多JANTXV2N7370供应商 更新时间2026-2-4 14:07:00