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JANTX2N7370	文件：62.56 Kbytes Page：2 Pages	NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/624 文件：62.56 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JANTX2N7370	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington NPN Silicon Power 100V, 12A This specification covers the performance requirements for NPN silicon, high power Darlington, 2N7370 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/624. The device package style is a three terminal flange mount header configuration modified TO-254AA (T1).;	Microchip 微芯科技	Microchip
JANTX2N7370	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-254-3，TO-254AA（直引线）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 12A TO254AA	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
JANTXV2N7370	文件：62.56 Kbytes Page：2 Pages	NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/624 文件：62.56 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
JANTX2N7370
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/624
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 6A，3V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-254-3，TO-254AA（直引线）
供应商器件封装：
TO-254AA
描述：
TRANS NPN DARL 100V 12A TO254AA

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