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JANTXV1N1188R	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 •GlassPassivatedDie •GlasstoMetalSealConstruction •500AmpsSurgeRating •VRRMto1000Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTXV1N1188R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AB，DO-5，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N1188	文件：556.27 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,35A Features •Glasspassivateddie •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Lowleakagecurrent •NormalandReversepolarity •MetricandUNFthreadsavailable	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
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产品属性

产品编号：
JANTXV1N1188R
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/297
包装：
散装
二极管类型：
标准型，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
35A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商器件封装：
DO-5
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

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