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JANTXV1N1190R

Military Silicon Power Rectifier

HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER Qualified per MIL-PRF-19500/297 • Glass Passivated Die • Glass to Metal Seal Construction • 500 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts

文件:113.39 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

JANTXV1N1190R

Package:DO-203AB,DO-5,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

Microchip

微芯科技

USAF1N1190

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

文件:2.44311 Mbytes 页数:6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

VS-1N1190

Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A, 40 A, 60 A

文件:155.43 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

VS-1N1190A

Power Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version), 35 A, 40 A, 60 A

FEATURES • Low leakage current series • Good surge current capability up to 1000 A • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

文件:147.02 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

产品属性

  • 产品编号:

    JANTXV1N1190R

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/297

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准型,反极性

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    35A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-203AB,DO-5,接线柱

  • 供应商器件封装:

    DO-5

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多JANTXV1N1190R供应商 更新时间2025-10-9 15:01:00