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JANTXV1N1190R	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER QualifiedperMIL-PRF-19500/297 •GlassPassivatedDie •GlasstoMetalSealConstruction •500AmpsSurgeRating •VRRMto1000Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTXV1N1190R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AB，DO-5，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N1190	文件：769.34 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1190	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers •Nominalcurrent35A •Repetitivepeakreversevoltage50~1000V •MetalcaseDO-5 •Weightapprox.6g •Standardpolarity:Cathodetostud •IndexR:Anodetostud •Standardpackaging:bulk	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
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1N1190	文件：124.01 Kbytes Page：3 Pages	STANDARDRECOVERYRECTIFIER STANDARDRECOVERYRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N1190	文件：705.27 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1190	文件：556.27 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiode,35A Features •Glasspassivateddie •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Lowleakagecurrent •NormalandReversepolarity •MetricandUNFthreadsavailable	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
1N1190	文件：123.92 Kbytes Page：3 Pages	HIGHRELIABILITYSILICONPOWERRECTIFIER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1190	文件：298.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •800Asurgerating •Glasstometalconstruction •VRRMto1000V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

产品属性

产品编号：
JANTXV1N1190R
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/297
包装：
散装
二极管类型：
标准型，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
35A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商器件封装：
DO-5
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

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