2N7370分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N7370 |
| 参数属性 | 2N7370 封装/外壳为TO-254-3，TO-254AA；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-254-3，TO-254AA |
| 文件大小 |
62.56 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-30 17:34:00 |
| 人工找货 | 2N7370价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N7370三极管、2N7370晶体管、2N7370晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性质：
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
10MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
β=1000-1800
- 图片代号：
E-44
- vtest：
100
- htest：
10000000
- atest：
12
- wtest：
0
2N7370规格书详情
NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/624
产品属性
- 产品编号：
2N7370
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/624
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 6A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-254-3，TO-254AA
- 供应商器件封装：
TO-254AA
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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