2N7370中文资料Darlington NPN Silicon Power 100V, 12A数据手册Microchip规格书
2N7370规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for NPN silicon, high power Darlington, 2N7370 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/624. The device package style is a three terminal flange mount header configuration modified TO-254AA (T1).
简介
2N7370属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N7370晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2N7370
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/624
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 120mA，12A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 6A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-254-3，TO-254AA
- 供应商器件封装：
TO-254AA
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
24+ |
TO254 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IR |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
MOT |
24+ |
CAN |
7000 |
询价 | |||
IR |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
N/A |
7000 |
询价 | |||
VITESSE |
TBGA |
6850 |
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MSCL |
24+ |
SMD |
50 |
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询价 | ||
24+ |
TO-220 |
200 |
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CAN3 |
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MOT |
24+ |
CAN3 |
4326 |
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询价 |
