2N7368中文资料NPN Silicon High-Power 100V, 10A数据手册Microchip规格书

描述 Description

This specification covers the performance requirements for NPN silicon, high-power, 2N7368 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided as specified in MIL-PRF-19500/622.The device package for the encapsulated device type are as follows: Three terminal round metal can modified TO-254AA (T1).

简介

2N7368属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N7368晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。