2N7369中文资料PNP Silicon High-Power -80V, -10A数据手册Microchip规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N7369三极管、2N7369晶体管、2N7369晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
射频/高频放大 （HF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<300MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
80
- htest：
299970000
- atest：
10
- wtest：
0
2N7369规格书详情
描述 Description
This specification covers the performance requirements for PNP silicon, high-power, 2N7369 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided as specified in MIL-PRF-19500/621. The device package outline is a three terminal flange mount header configuration, modified TO-254AA, (T1).
简介
2N7369属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Microchip制造生产的2N7369晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2N7369
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/621
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 1A，2V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-254-3，TO-254AA
- 供应商器件封装：
TO-254
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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CAN3 |
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