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2N7002-G	文件：183.7 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET MOSFET(N-Channel) RoHSDevice Features Powerdissipation:0.35W	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N7002-G	文件：665.51 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
2N7002-G	文件：116.93 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N7002-G	文件：444.49 Kbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheSupertex2N7002isanenhancement-mode(normallyoff)transistorthatutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistors,andthehi	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N7002H	文件：444.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •MotorControl •PowerManagementFunctions FeaturesandBenefits •N-Channel	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002H	文件：283.29 Kbytes Page：15 Pages	60V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •AEC-Q101quali	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002-HF	文件：122.63 Kbytes Page：4 Pages	MOSFET Features -Powerdissipation:0.35W	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N7002HM-HF	文件：482.07 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET Features -Drivecircuitscanbesimple. -Lowon-resistance. -ESDprotectedgateupto2KVHBM. -High-speedswitching. -Paralleluseiseasy.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2N7002HS	文件：294.8 Kbytes Page：15 Pages	60V,dualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363(SC-88) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002HW	文件：1.33572 Mbytes Page：6 Pages	WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirementsandHalogenFree. FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●ESDProtected:1000V	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

详细参数

型号：
2N7002DW-TP
功能描述：
MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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