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2N7002K	文件：106.85 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET60V,380mA,Single,N?묬hannel,SOT??3 Features •ESDProtected •LowRDS(on) •SurfaceMountPackage •2VPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N7002K	文件：248 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
2N7002K	文件：836.88 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2N7002K	文件：164.63 Kbytes Page：3 Pages	300mAmps,60VoltsN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DESCRIPTION TheUTC2N7002KusesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgatevoltagesduringoperation.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES LowReverseTransferCapacitance(CRSS=typical3.0pF) ESDProt	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N7002K	文件：216.07 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
2N7002K	文件：74.38 Kbytes Page：4 Pages	NChannelMOSFET INTERFACEANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ESDProtected2000V. •HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). •Voltagecontrolledsmallsignalswitch. •Ruggedandreliable. •Highsaturationcurrentcapablity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
2N7002K	文件：97.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
2N7002K	文件：533.11 Kbytes Page：4 Pages	N-ChSmallSignalMOSFETwithESDProtection FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@500mA=3Ω •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance •VeryLowLeakageCurrentInOffCondition •SpeciallyDesignedforBatteryOperatedSystems, Solid-StateRelaysDriver	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N7002K	文件：641.31 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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详细参数

型号：
2N7002DW-TP
功能描述：
MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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