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2N7002BKW	文件：724.88 Kbytes Page：16 Pages	丝印：X9；Package：SC-70；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Logic-levelcompatible Veryfastswitching TrenchMOSFETtechnology ESDpro	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKW	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	丝印：X9；Package：SC-70；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET; General description\nN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.Features and benefits\n Logic-level compatible\n Very fast switching\n Trench MOSFETtechnology\n ESD protection up to 2 kV\n AEC-Q101 qualified	NXPNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	NXP
2N7002BKW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET; • Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ESD protection up to 2 kV\n• AEC-Q101 qualified\n; N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
2N7002BKW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V, Single N Channel MOSFET, RDS(ON) mΩ, SOT-323; •Very fast switching\n •Built-in G-S Protection Diode\n •Halogen and Antimony Free(HAF),RoHS compliant\n •Typical ESD Protection HBM Class 2;	Viitorsemi 微特	Viitorsemi
2N7002BKW	文件：1.74836 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2N7002BKW_V01	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002BKW_15	文件：164.5 Kbytes Page：16 Pages	丝印：X9-；Package：SOT-323；60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

技术参数

Package name：
SC-70
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1600
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.31
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.5
Ptot [max] (W)：
0.275
VGSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
33
Coss [typ] (pF)：
7
Release date：
2011-01-24

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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