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2N7002BKW	文件：286.36 Kbytes Page：15 Pages	60V,310mAN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
2N7002-CAR	文件：458.28 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffect TransistorFeatures •HighdensitycelldesignforlowRDS(ON)•Voltagecontrolledsmallsignalswitching•Highsaturationcurrentcapability•Highspeedswitching•-CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringuniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101qualifiedandPPAPcapable	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
2N7002CSM	文件：14.46 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N7002D	文件：502.66 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
2N7002DCSM	文件：20.67 Kbytes Page：2 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N7002DSPT	文件：246.6 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementMOSFET	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
2N7002DW	文件：114.22 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors MOSFET(N-Channel) FEATURES Powerdissipation PD:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ID:115mA Collector-basevoltage VDS:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2N7002DW	文件：164.84 Kbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002DW	文件：172.69 Kbytes Page：5 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETS Thisspace-efficientdevicecontainstwoelectrically-isolatedN-Channelenhancement-modeMOSFETs.ItcomesinaverysmallSOT-363(SC70-6L)package.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium. FEATURES ●LowOn-Re	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
2N7002DW	文件：66.24 Kbytes Page：3 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(Rds(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •Lo	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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