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2N7002KQB	文件：281.49 Kbytes Page：15 Pages	丝印：C7；Package：DFN1110D-3；60 V N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic-level compatible • Side wettable flanks for optical 文件：281.49 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
2N7002TQ	文件：439.83 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The 2N7002TQ is suitable fo 文件：439.83 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002TQ-13-F	文件：439.83 Kbytes Page：5 Pages	丝印：72；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The 2N7002TQ is suitable fo 文件：439.83 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002TQ-7-F	文件：439.83 Kbytes Page：5 Pages	丝印：72；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The 2N7002TQ is suitable fo 文件：439.83 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002KQ-13	文件：245.02 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：245.02 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002KQ-7	文件：245.02 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：245.02 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002TQ-13-F	文件：112.82 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：112.82 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
2N7002TQ-13-F	文件：288.82 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：288.82 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2N7002TQ-7-F	文件：288.82 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：288.82 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2N7002TQ-7-F	文件：112.82 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：112.82 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.22 A
PD @ TA = +25°C：
0.54 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
5000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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更多2N7002_Q供应商更新时间2025-11-5 19:22:00

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