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2N7002KQB	文件：281.49 Kbytes Page：15 Pages	Marking：C7；Package：DFN1110D-3；60 V N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallDFN1110D-3 (SOT8015)leadlessSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •Sidewettableflanksforoptical	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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