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2N6515_11

High Voltage Transistor 625mW

文件:295.96 Kbytes 页数:7 Pages

MCC

2N6515_13

High Voltage Transistor 625mW

文件:341.17 Kbytes 页数:7 Pages

MCC

2N6515RLRM

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO92

ONSEMI

安森美半导体

2N6515RLRMG

Package:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO92

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    2N6515

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_视频输出 (Vi

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    250V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    >40MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF392,BF393,BFP25,MPS-A42,2SD1350,3DG84I,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    250

  • htest:

    40000100

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0.625

产品属性

  • 产品编号:

    2N6515

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 250V 0.5A TO92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N6515供应商 更新时间2026-1-18 9:38:00