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2N6505	文件：50.89 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half‐wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits. Features • Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stabil 文件：50.89 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6507	文件：50.89 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half‐wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits. Features • Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stabil 文件：50.89 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6508	文件：50.89 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half‐wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits. Features • Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stabil 文件：50.89 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N6509	文件：50.89 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Controlled Rectifiers Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors Designed primarily for half‐wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits. Features • Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stabil 文件：50.89 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N650A	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6500	文件：113.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：113.19 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6500	文件：16.09 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 文件：16.09 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6502	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS 文件：141.36 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N6504	文件：204.39 Kbytes Page：2 Pages	THYRISTORS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 文件：204.39 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6504	文件：63.65 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors SCRs 25 AMPERES RMS 50 thru 800 VOLTS 文件：63.65 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2N650(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC153,AC193,2N1189,2N1190,2SB405ST,3AX55B,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β>33
图片代号：
D-9
vtest：
45
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.2

技术参数

Maximum Transition Frequency：
200MHz
Maximum Power Dissipation：
625mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
0.5A
Maximum Collector Emitter Voltage：
350V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@1mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage：
350V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Small Signal

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