丝印：2N65；Package：TO-252；650V N-Channel Planar MOSFET

Features Ultra Low gate Charge Low Crss Fast switching capability

文件：2.5878 Mbytes 页数：6 Pages

SY

顺烨电子

丝印：2N65；Package：TO-252；650V N-Channel Planar MOSFET

Features Ultra Low gate Charge Low Crss Fast switching capability

文件：2.5878 Mbytes 页数：6 Pages

SY

顺烨电子

丝印：2N65；Package：TO-252；650V N-Channel Planar MOSFET

Features Ultra Low gate Charge Low Crss Fast switching capability

文件：2.5878 Mbytes 页数：6 Pages

SY

顺烨电子

丝印：2N65；Package：TO-220；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES Low Crss Low gate charge Fast switching Improved ESD capability Improved dv/dt capability 100% avalanche energy test

文件：915.84 Kbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丽正国际

丝印：2N65；Package：TO-220F；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES Low Crss Low gate charge Fast switching Improved ESD capability Improved dv/dt capability 100% avalanche energy test

文件：915.84 Kbytes 页数：7 Pages

RECTRON

丽正国际

丝印：2N65；Package：TO-220C；2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.36437 Mbytes 页数：12 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：2N65；Package：TO-220C；2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.35946 Mbytes 页数：12 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：2N65；Package：TO-220C；2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.35916 Mbytes 页数：12 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：2N65；Package：TO-220C；2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.35898 Mbytes 页数：12 Pages

WXDH

东海半导体

丝印：2N65；Package：TO-220C；2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.35991 Mbytes 页数：12 Pages

WXDH

东海半导体