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2N6288	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6288	文件：101.31 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors General-Purpose Medium-Power Types for Switching and Amplifier Applications 文件：101.31 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
2N6288	文件：171.37 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(7A,40W) 2N6107,2N6109,2N6111 -- >PNP 2N6288,2N6290,2N6292 --> NPN 7A 30 - 70 Volts 40 Watts 文件：171.37 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2N6288	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	N-P-N SILICON TRANSISTOR Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：141.36 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6288	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6288	文件：297.65 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：297.65 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6288	文件：136.19 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to PNP type: 2N6107; 2N6109 ;2N6111 APPLICATIONS • Power amplifier and switching circuits applications 文件：136.19 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6288	文件：95.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220 package • Complement to PNP type: 2N6107; 2N6109 ;2N6111 APPLICATIONS • Power amplifier and switching circuits applications 文件：95.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6289	文件：267.08 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE = 30-150@ IC= 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 30V(Min) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications 文件：267.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6289	文件：193.33 Kbytes Page：2 Pages	MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS Epitaxial-Base, Silicon NPN and PNP VERSAWATT Transistors 文件：193.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2N628
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
AL100,AL101,AUY21,2N1550,2N1554,2N1558,2N2292,2N2293,3AD57A,
最大耗散功率：
94W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
10
wtest：
94

技术参数

Maximum Transition Frequency：
4(Min)MHz
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
30V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
3.5@3A@7AV
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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