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2N6099_15	文件：73.34 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：73.34 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2N6099G-T30-Y	文件：154.91 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：154.91 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
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2N6099	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率晶体管互补性的硅晶体管COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS The 2N3773/2N6099 are power-base power transistors designed for high power audio, disk head positions and other linear applications. These device can be used in power switching circuits such as relay or solened drivers, DC to DC converters or inverts. ·High safe operating area(100 tested) 150W and 100V \n·Complement Characterized for linear operation \n·High DC Current Gain and low saturation voltage Hfe=15(8A 4V) \n· Vce(sat)=1.4V(Ic=8A,Ib=0.8A) \n·For Low Distortion Complementary Designs;	UTC 友顺	UTC
2N6093	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
2N6098	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box	NJS	NJS
2N6099 PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 10A TO220-3	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N6099
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>0.8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD607,BD707,BD709,BD743A,BD807,BD909,BDX71,3DD65C,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
70
htest：
800100
atest：
10
wtest：
75

技术参数

BVceo (V)：
140
BVcbo (V)：
160
Ic (A)：
16
hFE (min)：
15
hFE (max)：
60
Vce (Max)(V)：
4
Vce (Sat)(V)：
1.4
Package：
TO-3

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