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2N6099	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites. 文件：71.78 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N6090	文件：141.36 Kbytes Page：1 Pages	SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS 文件：141.36 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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2N6093	文件：24.57 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 文件：24.57 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
2N6098	文件：111.72 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：111.72 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6098	文件：94.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：94.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6098_15	文件：111.72 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：111.72 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
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2N6099_15	文件：157.22 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：157.22 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC

晶体管资料

型号：
2N6099
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>0.8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD607,BD707,BD709,BD743A,BD807,BD909,BDX71,3DD65C,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
70
htest：
800100
atest：
10
wtest：
75

技术参数

BVceo (V)：
140
BVcbo (V)：
160
Ic (A)：
16
hFE (min)：
15
hFE (max)：
60
Vce (Max)(V)：
4
Vce (Sat)(V)：
1.4
Package：
TO-3

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