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2N6099中文资料功率晶体管互补性的硅晶体管COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS数据手册UTC规格书

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厂商型号

2N6099

参数属性

2N6099 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 10A TO220-3

功能描述

功率晶体管互补性的硅晶体管COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

封装外壳

TO-220-3

制造商

UTC Unisonic Technologies

中文名称

友顺 友顺科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2026-2-9 22:30:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6099

  • 别名:

    2N6099三极管、2N6099晶体管、2N6099晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    70V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    >0.8MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD607,BD707,BD709,BD743A,BD807,BD909,BDX71,3DD65C,

  • 最大耗散功率:

    75W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    70

  • htest:

    800100

  • atest:

    10

  • wtest:

    75

2N6099规格书详情

描述 Description

The 2N3773/2N6099 are power-base power transistors designed for high power audio, disk head positions and other linear applications. These device can be used in power switching circuits such as relay or solened drivers, DC to DC converters or inverts.

特性 Features

·High safe operating area(100 tested)   150W and 100V
·Complement Characterized for linear operation
·High DC Current Gain and low saturation voltage  Hfe=15(8A 4V)
· Vce(sat)=1.4V(Ic=8A,Ib=0.8A)
·For Low Distortion Complementary Designs

技术参数

  • 制造商编号

    :2N6099

  • 生产厂家

    :UTC

  • BVceo (V)

    :140

  • BVcbo (V)

    :160

  • Ic (A)

    :16

  • hFE (min)

    :15

  • hFE (max)

    :60

  • Vce (Max)(V)

    :4

  • Vce (Sat)(V)

    :1.4

  • Package

    :TO-3

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