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2N6079中文资料PNP Transistor数据手册Microchip规格书

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厂商型号

2N6079

参数属性

2N6079 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

PNP Transistor
POWER BJT

封装外壳

TO-213AA,TO-66-2

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2026-2-9 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6079

  • 别名:

    2N6079三极管、2N6079晶体管、2N6079晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    375V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    7MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BU406,BU408,BUT56(A),BUY63,2N3584,2N4240,2SC1865,3DA58B,40850,

  • 最大耗散功率:

    45W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-8

  • vtest:

    375

  • htest:

    7000000

  • atest:

    7

  • wtest:

    45

2N6079规格书详情

简介

2N6079属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由Microchip制造生产的2N6079晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N6079

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200µA, 1.2mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Microchip Technology / Atmel
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