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2N6079	文件：140.66 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Low collector saturation voltage ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·For horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s 文件：140.66 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N6079	文件：121.77 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Low collector saturation voltage ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·For horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s 文件：121.77 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N6079	文件：278.7 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor For Switching and Linear Applications 文件：278.7 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6079	文件：135.48 Kbytes Page：1 Pages	HIGH-VOLTAGE, HIGH-POWER SILICON N-P-N TRANSISTOR High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor For Switching and Linear Applications 文件：135.48 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6079	文件：115.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Low collector saturation voltage ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·For horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s 文件：115.17 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N6079	文件：10.93 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package 文件：10.93 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
2N6079	文件：120.42 Kbytes Page：2 Pages	High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor 文件：120.42 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N6079	文件：300 bytes Page：1 Pages	45W NPN Medium Power BJT Transistor This BJT is packaged in TO-66 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron
2N6079	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 350V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66	NJS	NJS
2N6079	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics

晶体管资料

型号：
2N6079
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
375V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
7MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BU406,BU408,BUT56(A),BUY63,2N3584,2N4240,2SC1865,3DA58B,40850,
最大耗散功率：
45W
放大倍数：
图片代号：
E-8
vtest：
375
htest：
7000000
atest：
7
wtest：
45

产品属性

产品编号：
2N6079
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200µA， 1.2mA
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
POWER BJT

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