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2N6079分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6079

参数属性

2N6079 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor

封装外壳

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

278.7 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体 新泽西半导体公司

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数据手册

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更新时间

2026-1-17 11:25:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6079

  • 别名:

    2N6079三极管、2N6079晶体管、2N6079晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    375V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    7MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BU406,BU408,BUT56(A),BUY63,2N3584,2N4240,2SC1865,3DA58B,40850,

  • 最大耗散功率:

    45W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-8

  • vtest:

    375

  • htest:

    7000000

  • atest:

    7

  • wtest:

    45

2N6079规格书详情

High-Voltage, High-Power Silicon N-P-N Transistor

For Switching and Linear Applications

产品属性

  • 产品编号:

    2N6079

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200µA, 1.2mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原厂
2023+
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