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2N5195	文件：106.63 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：106.63 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5195	文件：518.63 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS 文件：518.63 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5195	文件：86.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：86.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5195	文件：300 bytes Page：1 Pages	4.0 A, 80 V PNP Bipolar Power Transistor The Power 4 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is for use in power amplifier and switching circuits. It has excellent safe area limits and is complement to NPN 2N5191, 2N5192 • Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5195	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 4A SOT32-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N5195G	文件：208.8 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= -80V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) :-1.4V(Max) @IC= -4A 文件：208.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5195_00	文件：122.96 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR 文件：122.96 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N5195G	文件：86.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：86.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5195G	文件：142.76 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP Power Transistors 4 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 60 ??80 VOLTS 文件：142.76 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5195 SL H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 4A TO126	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
2N5195
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD190,BD200,BD296,BD442,BD788,CD50B,MJE250,MJE251,MJE252,MJE253,MJE254,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
2000100
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
2N5195
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 1A，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1.5A，2V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32-3
描述：
TRANS PNP 80V 4A SOT32-3

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