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2N5195	文件：99.34 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Power Transistors(4 AMPERE) Silicon PNP Power Transistors These devices are designed for use in power amplifier and switching circuits; excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192. Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：99.34 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5195	文件：60.11 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5193, 2N5194, and 2N5195 are Silicon PNP Expitaxial Base Power Transistors designed for Meium power amplifier and Switching applications. 文件：60.11 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5195	文件：132.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N5190/5191/5192 ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in medium power linear and switching applications 文件：132.22 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5195	文件：48.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N5190,2N5191,2N5192 ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in medium power linear and switching applications 文件：48.15 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5195	文件：72.38 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP POWER BJT DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= -40V(Min)-2N5193 = -60V(Min)-2N5194 = -80V(Min)-2N5195 • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage • Complement to Type 2N5190/5191/5192 APPLICATIONS • Designed for use i 文件：72.38 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5195	文件：94.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= -40V(Min)-2N5193 = -60V(Min)-2N5194 = -80V(Min)-2N5195 • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage • Complement to Type 2N5190/5191/5192 APPLICATIONS • Designed for use i 文件：94.95 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5195	文件：140.27 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= -40V(Min)-2N5193 = -60V(Min)-2N5194 = -80V(Min)-2N5195 • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage • Complement to Type 2N5190/5191/5192 APPLICATIONS • Designed for use i 文件：140.27 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5195	文件：105.06 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N5190/5191/5192 ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in medium power linear and switching applications 文件：105.06 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5195	文件：61.62 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The 2N5195 is a silicon epitaxial-base PNP transistor in Jedec SOT-32 plastic package. It is inteded for use in medium power linear and switching applications. The complementary NPN type is 2N5192. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE ■ PNP TRANSISTOR) APPLICATIONS ■ LINEAR 文件：61.62 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
2N5195	文件：122.96 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR 文件：122.96 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
2N5195
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD190,BD200,BD296,BD442,BD788,CD50B,MJE250,MJE251,MJE252,MJE253,MJE254,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
2000100
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
2N5195
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 1A，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1.5A，2V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32-3
描述：
TRANS PNP 80V 4A SOT32-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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