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2N5172

文件：23.28 Kbytes

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NPNGeneralPurposeAmplifier

NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess10.SeePN100forcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

2N5172-TA

文件：1.26412 Mbytes

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TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

Features GeneralPurposeAmplifierTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

详细参数

  • 型号：

    2N5172_Q

  • 功能描述：

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO：

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO：

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT：

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安装风格：

    SMD/SMT

  • 封装/箱体：

    PowerFLAT 2 x 2

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