| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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1年
留言
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VISHAY |
64 |
0925+11 |
原装正品、支持实单、价优实在 |
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4年
留言
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onsemi(安森美)TO-225 |
45 |
25 |
QQ询价 绝对原装正品 |
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1年
留言
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ON/安森美NA |
3300 |
24+ |
现货-终端可以月结 |
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8年
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ONTO-126 |
9700 |
24+ |
绝对原装正品现货假一罚十 |
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8年
留言
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ONSEMI/安森美 |
2500 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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ON/安森美TO-126 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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10年
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MOTOROLACAN3 |
890 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TO-225 |
1259 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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1年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
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8年
留言
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onsemi(安森美)TO-225-3 |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiTO-126 |
11528 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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7年
留言
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ON/安森美TO126 |
54648 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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8年
留言
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MOTCAN6 |
60 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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13年
留言
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ON/安森美TO-225 |
30000 |
26+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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14年
留言
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VishayTO-71 |
19567 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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6年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉NA |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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11年
留言
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ON/安森美TO-225 |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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17年
留言
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VISHAY/MOTCAN6 |
1023 |
24+ |
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18年
留言
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MOT |
68 |
25+ |
公司优势库存 热卖中! |
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14年
留言
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ON/安森美TO-225 |
30098 |
2407+ |
全新原装!仓库现货,大胆开价! |
2N519采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
2N5194价格
2N5194价格：￥0.0000品牌：Semiconductors
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2N5195G资讯
2N5192G原包原标原装现货
2N5192G原包原标原装现货
2N5195G中文资料Alldatasheet PDF
更多2N5190功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 4A TO-225AA RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2N5190G功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5191功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5191/D功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2N5191_00制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS
2N5191_07制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:NPN power transistors
2N5191G功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 60V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5192功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5192G功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 80V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N5193制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTORPNP1A40VTO126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR,PNP,1A,40V,TO126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V; Transistor Polarity
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
15V
- 最大电流允许值：
- 最大工作频率：
>0.5MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
ASY26,ASY27,ASY76,ASY77,2N1303,3AK32,
- 最大耗散功率：
0.1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
D-9
- vtest：
15
- htest：
500100
- atest：
0
- wtest：
0.1
