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2N5172	文件：1.26412 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors Features GeneralPurposeAmplifierTransistor	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2N5172	文件：122.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR TO92PlasticPackage	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N5172	文件：136.15 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR TO-92PlasticPackage	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
2N5172	文件：522.669 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •GeneralPurposeAmplifierTransistor	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2N5172	文件：131.13 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2N5172	文件：81.54 Kbytes Page：1 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •GeneralPurposeAmplifierTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N5172	文件：66.08 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N5172	文件：105.25 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92 •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
2N5172	文件：291.38 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N5172	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsTO-92Case(Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
2N5172_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多2N5172_Q供应商更新时间2025-5-25 14:02:00

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