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2N5194	文件：99.34 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Power Transistors(4 AMPERE) Silicon PNP Power Transistors These devices are designed for use in power amplifier and switching circuits; excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192. Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：99.34 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5194	文件：60.11 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5193, 2N5194, and 2N5195 are Silicon PNP Expitaxial Base Power Transistors designed for Meium power amplifier and Switching applications. 文件：60.11 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5194	文件：48.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N5190,2N5191,2N5192 ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in medium power linear and switching applications 文件：48.15 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2N5194	文件：94.95 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= -40V(Min)-2N5193 = -60V(Min)-2N5194 = -80V(Min)-2N5195 • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage • Complement to Type 2N5190/5191/5192 APPLICATIONS • Designed for use i 文件：94.95 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5194	文件：140.27 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= -40V(Min)-2N5193 = -60V(Min)-2N5194 = -80V(Min)-2N5195 • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage • Complement to Type 2N5190/5191/5192 APPLICATIONS • Designed for use i 文件：140.27 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5194	文件：105.06 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N5190/5191/5192 ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in medium power linear and switching applications 文件：105.06 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2N5194	文件：132.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N5190/5191/5192 ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in medium power linear and switching applications 文件：132.22 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5195	文件：132.22 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2N5190/5191/5192 ·Excellent safe operating area APPLICATIONS ·For use in medium power linear and switching applications 文件：132.22 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2N5195	文件：60.11 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5193, 2N5194, and 2N5195 are Silicon PNP Expitaxial Base Power Transistors designed for Meium power amplifier and Switching applications. 文件：60.11 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5195	文件：99.34 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Power Transistors(4 AMPERE) Silicon PNP Power Transistors These devices are designed for use in power amplifier and switching circuits; excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192. Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：99.34 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2N5179
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_超高频/特高频（UHF）_低噪放大（
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
1.4GHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
BF357,BF377,BF378,BF689,BF763,BFR15,BFT17,BFT66,BFT67,BFW99,2N2857,2N5053,2N5054,3DG82A,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
图片代号：
D-13
vtest：
20
htest：
1400000000
atest：
0.05
wtest：
0.2

产品属性

产品编号：
2N5179
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
200MHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
4.5dB @ 200MHz
增益：
20dB
功率 - 最大值：
300mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 3mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AF，TO-72-4 金属罐
供应商器件封装：
TO-72
描述：
RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

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