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2N5089	文件：191.24 Kbytes Page：2 Pages	PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：191.24 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N5089	文件：166.08 Kbytes Page：1 Pages	AMPLIFIER TRANSISTORS AMPLIFIER TRANSISTORS NPN SILICON 文件：166.08 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5089	文件：123.79 Kbytes Page：4 Pages	SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE TRANSISTORS SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN Epitaxial Silicon Transistors Features •Application for Amplifier Circuit, Switching Circuit, Inverter •RoHS Compliant 文件：123.79 Kbytes 页数：4 Pages	TAITRON	TAITRON
2N508A	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMAIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N508A	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N508A	文件：83.55 Kbytes Page：1 Pages	GERMANIUM PNPSMALL SIGNAL TRANSISTORS GERMANIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：83.55 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5086	文件：89.87 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP LO-PWR BJT 文件：89.87 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5086	文件：100.03 Kbytes Page：9 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：100.03 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5087	文件：100.03 Kbytes Page：9 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：100.03 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5087	文件：156.05 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistor PNP Silicon 文件：156.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
2N508
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
18V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AC128,AC152,AC153,AC188,AC193,2B1190,
最大耗散功率：
0.225W
放大倍数：
图片代号：
C-65
vtest：
18
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.225

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum DC Current Gain：
25@1mA@6V
Maximum Transition Frequency：
2500MHz
Maximum Emitter Base Voltage：
3V
Maximum DC Collector Current：
0.02A
Maximum Collector Emitter Voltage：
10V
Maximum Collector Base Voltage：
15V
Material：
Si
Configuration：
Single

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