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2N5089	文件：98.34 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA. 文件：98.34 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5089	文件：102.98 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA. 文件：102.98 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5089	文件：32.92 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO=25V • Collector Dissipation: PC (max)=625mW 文件：32.92 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
2N5089	文件：188.71 Kbytes Page：6 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The devices are designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1μA ~ 50mA. 文件：188.71 Kbytes 页数：6 Pages	UTC 友顺	UTC
2N5089	文件：281.81 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistor(NPN Silicon) Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：281.81 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N5089	文件：220.26 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS Amplifier Transistors 文件：220.26 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
2N5089	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：59.95 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5089	文件：191.24 Kbytes Page：2 Pages	PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：191.24 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N5089	文件：166.08 Kbytes Page：1 Pages	AMPLIFIER TRANSISTORS AMPLIFIER TRANSISTORS NPN SILICON 文件：166.08 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5089	文件：123.79 Kbytes Page：4 Pages	SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE TRANSISTORS SMALL SIGNAL GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN Epitaxial Silicon Transistors Features •Application for Amplifier Circuit, Switching Circuit, Inverter •RoHS Compliant 文件：123.79 Kbytes 页数：4 Pages	TAITRON	TAITRON

晶体管资料

型号：
2N5089
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC169,BC184,BC239,BC549,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>400
图片代号：
A-31
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
2N5089
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 100µA，5V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 25V 0.05A TO92

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更多2N5089供应商更新时间2026-4-21 9:38:00

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