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2N5086	文件：77.26 Kbytes Page：2 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 文件：77.26 Kbytes 页数：2 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
2N5086	文件：59.95 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4400 and 2N4401 are silicon NPN transistors designed for general purpose amplifier and switching applications. PNP complementary types are 2N4402 and 2N4403. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：59.95 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N5086	文件：191.24 Kbytes Page：2 Pages	PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：191.24 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2N5086	文件：58.65 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50 mA. 文件：58.65 Kbytes 页数：6 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5086	文件：230.06 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into one group according to it DC current gain. As complementary type the NPN transistor 2N5088 and 2N5089 are recommended. 文件：230.06 Kbytes 页数：4 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
2N5086	文件：100.03 Kbytes Page：9 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：100.03 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
2N5086	文件：89.87 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP LO-PWR BJT 文件：89.87 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N5086	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise	Central	Central
2N5086	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 3-Pin TO-92 T/R	NJS	NJS
2N5086	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号晶体管	ST 意法半导体	ST

晶体管资料

型号：
2N5086
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC214,BC315,BC416,BC560,2SA872(A),3CG110C,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
β>150
图片代号：
A-31
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.625

技术参数

Ptot：
0.5
IC：
-0.05
VCBO：
-50
VCEO：
50
VEBO：
-3
hFE_VCE(V)：
-5
hFE_IC(mA)：
-0.1
Package Outline：
TO-92
Arrays：
EBC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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