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2N4261UB	文件：157.06 Kbytes Page：4 Pages	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/511 文件：157.06 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
2N4264	文件：169.98 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor(NPN Silicon) General Purpose Transistor NPN Silicon 文件：169.98 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2N4264	文件：56.42 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：56.42 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4265	文件：92.33 Kbytes Page：1 Pages	SI NPN LP HF BJT Description: Si NPN LP HF BJT 文件：92.33 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4269	文件：534.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) 文件：534.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N427	文件：267.79 Kbytes Page：3 Pages	alloy-junction germanium transistors [INTEX/ SEMITRONICS CORP] alloy-junction germanium transistors 文件：267.79 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2N427	文件：1.13939 Mbytes Page：2 Pages	GERMAIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS GERMABIUM PNP SMALL SIGNAL TRANSISTORS 文件：1.13939 Mbytes 页数：2 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
2N4270	文件：55.52 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：55.52 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4271	文件：55.52 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors 文件：55.52 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4271	文件：174.77 Kbytes Page：1 Pages	NPN TO-39/TO-5 NPN TO-39/TO-5 Case 801 I(MAX) = 0.05 to 10 A VCEO(sus) = 40 • 800V fT = 1 to 50 MHz 文件：174.77 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2N4235
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFT35,BFT36,BFT37,BSS46,2N6190,2N6191,2N6192,2N6193,3CK10E,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-62
vtest：
60
htest：
3000100
atest：
3
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N4235
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，1V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-205AD
描述：
TRANS PNP 60V 1A TO205AD

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