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2N4200	文件：318.71 Kbytes Page：6 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Reverse Blocking Triode Thyristors SCRs 100 AMPERE PULSE 300 thru 800 Volt 文件：318.71 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
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2N4203	文件：318.71 Kbytes Page：6 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Reverse Blocking Triode Thyristors SCRs 100 AMPERE PULSE 300 thru 800 Volt 文件：318.71 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
2N4203	文件：209.45 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIER SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Reverse Blocking Triode Thyristors SCRs 100 AMPERE PULSE 300 thru 800 Volt 文件：209.45 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4204	文件：318.71 Kbytes Page：6 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS Reverse Blocking Triode Thyristors SCRs 100 AMPERE PULSE 300 thru 800 Volt 文件：318.71 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
2N4207	文件：534.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) 文件：534.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4208	文件：534.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) 文件：534.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4208	文件：91.83 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4208, 2N4209 types are PNP Saturated Switching Transistors designed for high speed switching applications. 文件：91.83 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4208	文件：70.43 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE 文件：70.43 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
2N4235
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFT35,BFT36,BFT37,BSS46,2N6190,2N6191,2N6192,2N6193,3CK10E,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-62
vtest：
60
htest：
3000100
atest：
3
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N4235
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，1V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-205AD
描述：
TRANS PNP 60V 1A TO205AD

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