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2N4208	文件：87.78 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4208, 2N4209 types are PNP Saturated Switching Transistors designed for high speed switching applications. 文件：87.78 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
2N4209	文件：87.78 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4208, 2N4209 types are PNP Saturated Switching Transistors designed for high speed switching applications. 文件：87.78 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
2N4209	文件：99.26 Kbytes Page：1 Pages	SI PNP LP HF BJT PNP SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE 文件：99.26 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4209	文件：91.83 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4208, 2N4209 types are PNP Saturated Switching Transistors designed for high speed switching applications. 文件：91.83 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4209	文件：534.73 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-18 Case (Continued) 文件：534.73 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
2N4209	文件：70.43 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE 文件：70.43 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2N4209	文件：236.27 Kbytes Page：4 Pages	High Speed Switching PNP Silicon Bipolar Transistor High Speed Switching PNP Silicon Bipolar Transistor ● Hermetic TO-18 Metal Package ● Silicon Planar Epitaxial PNP Transistor ● High Speed Low Saturation Switching ● High Reliability Screening Options Available 文件：236.27 Kbytes 页数：4 Pages	TTELEC	TTELEC
2N4212	文件：124.6 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 1.6 AMPS RMS, 25-400 VOLTS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 1.6 AMPS RMS, 25-400 VOLTS Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix). Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. 文件：124.6 Kbytes 页数：2 Pages	DIGITRON	DIGITRON
2N4213	文件：124.6 Kbytes Page：2 Pages	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 1.6 AMPS RMS, 25-400 VOLTS SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 1.6 AMPS RMS, 25-400 VOLTS Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix). Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. 文件：124.6 Kbytes 页数：2 Pages	DIGITRON	DIGITRON
2N4213	文件：96.2 Kbytes Page：1 Pages	SCR, V(DRM) = 50V TO 99.9V Description: SCR, V(DRM) = 50 V to 99.9 V 文件：96.2 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

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晶体管资料

型号：
2N4235
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFT35,BFT36,BFT37,BSS46,2N6190,2N6191,2N6192,2N6193,3CK10E,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
C-62
vtest：
60
htest：
3000100
atest：
3
wtest：
1

产品属性

产品编号：
2N4235
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，1V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-205AD
描述：
TRANS PNP 60V 1A TO205AD

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