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2N4261UB

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/511

文件:157.06 Kbytes 页数:4 Pages

Microsemi

美高森美

2N4261UB

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

文件:196.81 Kbytes 页数:5 Pages

Microsemi

美高森美

2N4261UB

Chip Type 2C4261 Geometry 0014 Polarity PNP

文件:29.18 Kbytes 页数:1 Pages

Semicoa

2N4261UB

Silicon PNP Transistor

文件:111.85 Kbytes 页数:2 Pages

Semicoa

2N4261UB_05

Silicon PNP Transistor

文件:111.85 Kbytes 页数:2 Pages

Semicoa

2N4261UBC

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

文件:196.81 Kbytes 页数:5 Pages

Microsemi

美高森美

2N4261UB

PNP Transistor

This 2N4261UB small signal transistor features ceramic bodied construction with a metal lid for military grade products per MIL-PRF-19500/511. It is also available with a ceramic lid in the UBC package or in a hermetically sealed metal TO-72 package.

Microchip

微芯科技

2N4261UB

Package:3-SMD,无引线;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 15V 0.03A UB

Microchip

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    2N4261UB

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 10mA,1V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    UB

  • 描述:

    TRANS PNP 15V 0.03A UB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2N4261UB供应商 更新时间2025-10-4 10:19:00